STGB20NB41LZT4 Datenblatt
STGB20NB41LZT4 Datenblatt
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STMicroelectronics
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STGB20NB41LZT4
STMicroelectronics Hersteller STMicroelectronics Serie PowerMESH™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 442V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 40A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 80A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 4.5V, 20A Leistung - max 200W Schaltenergie 5mJ (on), 12.9mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 46nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 1µs/12.1µs Testbedingung 320V, 20A, 1kOhm, 5V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket D2PAK |