Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

STF34NM60N Datenblatt

STF34NM60N Datenblatt
Total Pages: 13
Größe: 885,71 KB
STMicroelectronics
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern: STF34NM60N
STF34NM60N Datenblatt Seite 1
STF34NM60N Datenblatt Seite 2
STF34NM60N Datenblatt Seite 3
STF34NM60N Datenblatt Seite 4
STF34NM60N Datenblatt Seite 5
STF34NM60N Datenblatt Seite 6
STF34NM60N Datenblatt Seite 7
STF34NM60N Datenblatt Seite 8
STF34NM60N Datenblatt Seite 9
STF34NM60N Datenblatt Seite 10
STF34NM60N Datenblatt Seite 11
STF34NM60N Datenblatt Seite 12
STF34NM60N Datenblatt Seite 13
STF34NM60N

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

MDmesh™ II

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

31.5A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

105mOhm @ 14.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

84nC @ 10V

Vgs (Max)

±25V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2722pF @ 100V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

40W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220FP

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack