STF27N60M2-EP Datenblatt
STF27N60M2-EP Datenblatt
Total Pages: 13
Größe: 659,38 KB
STMicroelectronics
Website: https://www.st.com/
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
STF27N60M2-EP
|
Hersteller STMicroelectronics Serie MDmesh™ M2-EP FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 20A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 163mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4.75V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 33nC @ 10V Vgs (Max) ±25V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1320pF @ 100V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 30W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-220FP Paket / Fall TO-220-3 Full Pack |
