Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

STF16N65M2 Datenblatt

STF16N65M2 Datenblatt
Total Pages: 13
Größe: 780,88 KB
STMicroelectronics
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern: STF16N65M2
STF16N65M2 Datenblatt Seite 1
STF16N65M2 Datenblatt Seite 2
STF16N65M2 Datenblatt Seite 3
STF16N65M2 Datenblatt Seite 4
STF16N65M2 Datenblatt Seite 5
STF16N65M2 Datenblatt Seite 6
STF16N65M2 Datenblatt Seite 7
STF16N65M2 Datenblatt Seite 8
STF16N65M2 Datenblatt Seite 9
STF16N65M2 Datenblatt Seite 10
STF16N65M2 Datenblatt Seite 11
STF16N65M2 Datenblatt Seite 12
STF16N65M2 Datenblatt Seite 13
STF16N65M2

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

MDmesh™ M2

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

650V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

11A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

360mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

19.5nC @ 10V

Vgs (Max)

±25V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

718pF @ 100V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

25W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220FP

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack