STE180NE10 Datenblatt
STE180NE10 Datenblatt
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STMicroelectronics
Website: https://www.st.com/
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
STE180NE10
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Hersteller STMicroelectronics Serie STripFET™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 180A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 6Ohm @ 40A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 795nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 21000pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 360W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Lieferantengerätepaket ISOTOP® Paket / Fall ISOTOP |
