STC08IE120HV Datenblatt
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STMicroelectronics
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STC08IE120HV
STMicroelectronics Hersteller STMicroelectronics Serie ESBT® Transistortyp NPN - Emitter Switched Bipolar Anwendungen Gate Driver Spannung - Nennspannung 1200V (1.2kV) Nennstrom (Ampere) 8A Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-4 Lieferantengerätepaket TO-247-4L HV |