STC03DE170 Datenblatt
STC03DE170 Datenblatt
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STMicroelectronics
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STC03DE170
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Hersteller STMicroelectronics Serie ESBT® Transistortyp NPN - Emitter Switched Bipolar Anwendungen Gate Driver Spannung - Nennspannung 1700V (1.7kV) Nennstrom (Ampere) 3A Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-4 Lieferantengerätepaket TO-247-4L |
