ST2100C38R0 Datenblatt
Vishay Semiconductor Diodes Division Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Spannung - Aus Zustand 3.8kV Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.) 4V Current - Gate Trigger (Igt) (Max) 400mA Spannung - Ein-Zustand (Vtm) (max.) 1.875V Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max) 1770A Current - On State (It (RMS)) (max.) 3850A Current - Hold (Ih) (Max) - Current - Off State (Max) 250mA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm) 36250A, 38000A SCR-Typ Standard Recovery Betriebstemperatur - Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall R-PUK Lieferantengerätepaket R-Puk |
Vishay Semiconductor Diodes Division Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Spannung - Aus Zustand 3.6kV Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.) 4V Current - Gate Trigger (Igt) (Max) 400mA Spannung - Ein-Zustand (Vtm) (max.) 1.875V Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max) 1770A Current - On State (It (RMS)) (max.) 3850A Current - Hold (Ih) (Max) - Current - Off State (Max) 250mA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm) 36250A, 38000A SCR-Typ Standard Recovery Betriebstemperatur - Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall R-PUK Lieferantengerätepaket R-Puk |