SSM3K310T(TE85L Datenblatt
SSM3K310T(TE85L Datenblatt
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Toshiba Semiconductor and Storage
Website: http://www.toshiba.com/taec/
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
SSM3K310T(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4V Rds On (Max) @ Id, Vgs 28mOhm @ 4A, 4V Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14.8nC @ 4V Vgs (Max) ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1120pF @ 10V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 700mW (Ta) Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket TSM Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |