SS275TA12205 Datenblatt
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Hersteller IXYS-RF Serie - Diodenkonfiguration 3 Common Anode Diodentyp Silicon Carbide Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 1200V Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) 5A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.8V @ 5A Geschwindigkeit No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 0ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 200µA @ 1200V Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 175°C Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-SMD, Flat Lead Exposed Pad Lieferantengerätepaket DE275 |
Hersteller IXYS-RF Serie - Diodenkonfiguration 3 Independent Diodentyp Silicon Carbide Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 1200V Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) 5A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.8V @ 5A Geschwindigkeit No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 0ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 200µA @ 1200V Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 175°C Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-SMD, Flat Lead Exposed Pad Lieferantengerätepaket DE275 |
Hersteller IXYS-RF Serie - Diodenkonfiguration 3 Common Cathode Diodentyp Silicon Carbide Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 1200V Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) 5A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.8V @ 5A Geschwindigkeit No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 0ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 200µA @ 1200V Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 175°C Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-SMD, Flat Lead Exposed Pad Lieferantengerätepaket DE275 |
