SQJ963EP-T1_GE3 Datenblatt
SQJ963EP-T1_GE3 Datenblatt
Total Pages: 10
Größe: 727,11 KB
Vishay Siliconix
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
SQJ963EP-T1_GE3
Vishay Siliconix Hersteller Vishay Siliconix Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET-Typ 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs 85mOhm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1140pF @ 30V Leistung - max 27W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall PowerPAK® SO-8 Dual Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8 Dual |