SQJ912BEP-T1_GE3 Datenblatt
SQJ912BEP-T1_GE3 Datenblatt
Total Pages: 10
Größe: 270,09 KB
Vishay Siliconix
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
SQJ912BEP-T1_GE3
|
Hersteller Vishay Siliconix Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs 11mOhm @ 9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 60nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3000pF @ 25V Leistung - max 48W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall PowerPAK® SO-8 Dual Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8 Dual |
