SQ1922AEEH-T1_GE3 Datenblatt
SQ1922AEEH-T1_GE3 Datenblatt
Total Pages: 17
Größe: 407,4 KB
Vishay Siliconix
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
SQ1922AEEH-T1_GE3
|
Hersteller Vishay Siliconix Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 850mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs 300mOhm @ 400mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.2nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 60pF @ 10V Leistung - max 1.5W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket SC-70-6 |
