SPB08P06P Datenblatt
SPB08P06P Datenblatt
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Infineon Technologies
Website: https://www.infineon.com
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
SPB08P06P
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Hersteller Infineon Technologies Serie SIPMOS® FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 8.8A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 300mOhm @ 6.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 420pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 42W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket PG-TO263-3-2 Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
