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SIZF916DT-T1-GE3 Datenblatt

SIZF916DT-T1-GE3 Datenblatt
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Vishay Siliconix
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SIZF916DT-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET® Gen IV

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

23A (Ta), 40A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4mOhm @ 10A, 10V, 1.25mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

22nC @ 10V, 95nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1060pF @ 15V, 4320pF @ 15V

Leistung - max

3.4W (Ta), 26.6W (Tc), 4W (Ta), 60W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-PowerWDFN

Lieferantengerätepaket

8-PowerPair® (6x5)