SIZ914DT-T1-GE3 Datenblatt
SIZ914DT-T1-GE3 Datenblatt
Total Pages: 14
Größe: 203,59 KB
Vishay Siliconix
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
SIZ914DT-T1-GE3
|
Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® FET-Typ 2 N-Channel (Half Bridge) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 16A, 40A Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.4mOhm @ 19A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 26nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1208pF @ 15V Leistung - max 22.7W, 100W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-PowerWDFN Lieferantengerätepaket 8-PowerPair® |
