SIZ728DT-T1-GE3 Datenblatt
SIZ728DT-T1-GE3 Datenblatt
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Vishay Siliconix
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SIZ728DT-T1-GE3
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Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® FET-Typ 2 N-Channel (Half Bridge) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 16A, 35A Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.7mOhm @ 18A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 26nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 890pF @ 12.5V Leistung - max 27W, 48W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-PowerPair™ Lieferantengerätepaket 6-PowerPair™ |
