SISF02DN-T1-GE3 Datenblatt
SISF02DN-T1-GE3 Datenblatt
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Vishay Siliconix
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
SISF02DN-T1-GE3
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Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® Gen IV FET-Typ 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 30.5A (Ta), 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.5mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 56nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2650pF @ 10V Leistung - max 5.2W (Ta), 69.4W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall PowerPAK® 1212-8SCD Lieferantengerätepaket PowerPAK® 1212-8SCD |
