SISB46DN-T1-GE3 Datenblatt
SISB46DN-T1-GE3 Datenblatt
Total Pages: 13
Größe: 596,2 KB
Vishay Siliconix
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
SISB46DN-T1-GE3
|
Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 34A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs 11.71mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1100pF @ 20V Leistung - max 23W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall PowerPAK® 1212-8 Dual Lieferantengerätepaket PowerPAK® 1212-8 Dual |
