Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

SISA01DN-T1-GE3 Datenblatt

SISA01DN-T1-GE3 Datenblatt
Total Pages: 9
Größe: 240,73 KB
Vishay Siliconix
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern: SISA01DN-T1-GE3
SISA01DN-T1-GE3 Datenblatt Seite 1
SISA01DN-T1-GE3 Datenblatt Seite 2
SISA01DN-T1-GE3 Datenblatt Seite 3
SISA01DN-T1-GE3 Datenblatt Seite 4
SISA01DN-T1-GE3 Datenblatt Seite 5
SISA01DN-T1-GE3 Datenblatt Seite 6
SISA01DN-T1-GE3 Datenblatt Seite 7
SISA01DN-T1-GE3 Datenblatt Seite 8
SISA01DN-T1-GE3 Datenblatt Seite 9
SISA01DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET® Gen IV

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

22.4A (Ta), 60A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.9mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

84nC @ 10V

Vgs (Max)

+16V, -20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3490pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3.7W (Ta), 52W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PowerPAK® 1212-8

Paket / Fall

PowerPAK® 1212-8