SIS932EDN-T1-GE3 Datenblatt
SIS932EDN-T1-GE3 Datenblatt
Total Pages: 9
Größe: 257,2 KB
Vishay Siliconix
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
SIS932EDN-T1-GE3
|
Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs 22mOhm @ 10A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1000pF @ 15V Leistung - max 2.6W (Ta), 23W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall PowerPAK® 1212-8 Dual Lieferantengerätepaket PowerPAK® 1212-8 Dual |
