Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

SIR812DP-T1-GE3 Datenblatt

SIR812DP-T1-GE3 Datenblatt
Total Pages: 13
Größe: 380,56 KB
Vishay Siliconix
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern: SIR812DP-T1-GE3
SIR812DP-T1-GE3 Datenblatt Seite 1
SIR812DP-T1-GE3 Datenblatt Seite 2
SIR812DP-T1-GE3 Datenblatt Seite 3
SIR812DP-T1-GE3 Datenblatt Seite 4
SIR812DP-T1-GE3 Datenblatt Seite 5
SIR812DP-T1-GE3 Datenblatt Seite 6
SIR812DP-T1-GE3 Datenblatt Seite 7
SIR812DP-T1-GE3 Datenblatt Seite 8
SIR812DP-T1-GE3 Datenblatt Seite 9
SIR812DP-T1-GE3 Datenblatt Seite 10
SIR812DP-T1-GE3 Datenblatt Seite 11
SIR812DP-T1-GE3 Datenblatt Seite 12
SIR812DP-T1-GE3 Datenblatt Seite 13
SIR812DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

60A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.45mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

335nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

10240pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

6.25W (Ta), 104W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PowerPAK® SO-8

Paket / Fall

PowerPAK® SO-8