SIR492DP-T1-GE3 Datenblatt
SIR492DP-T1-GE3 Datenblatt
Total Pages: 14
Größe: 311,02 KB
Vishay Siliconix
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
SIR492DP-T1-GE3
|
Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 12V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 40A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.8mOhm @ 15A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 110nC @ 8V Vgs (Max) ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3720pF @ 6V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 4.2W (Ta), 36W (Tc) Betriebstemperatur -50°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8 Paket / Fall PowerPAK® SO-8 |
