SIR106DP-T1-RE3 Datenblatt
SIR106DP-T1-RE3 Datenblatt
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Vishay Siliconix
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SIR106DP-T1-RE3
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Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® Gen IV FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 16.1A (Ta), 65.8A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 7.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 8mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 64nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3610pF @ 50V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 3.2W (Ta), 83.3W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8 Paket / Fall PowerPAK® SO-8 |
