SIHG64N65E-GE3 Datenblatt
SIHG64N65E-GE3 Datenblatt
Total Pages: 9
Größe: 198,12 KB
Vishay Siliconix
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
SIHG64N65E-GE3
|
Hersteller Vishay Siliconix Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 64A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 47mOhm @ 32A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 369nC @ 10V Vgs (Max) ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7497pF @ 100V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 520W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-247AC Paket / Fall TO-247-3 |
