SIHG33N65E-GE3 Datenblatt
SIHG33N65E-GE3 Datenblatt
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Vishay Siliconix
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SIHG33N65E-GE3
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Hersteller Vishay Siliconix Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 32.4A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 105mOhm @ 16.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 173nC @ 10V Vgs (Max) ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4040pF @ 100V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 313W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-247AC Paket / Fall TO-247-3 |
