SIHG23N60E-GE3 Datenblatt
SIHG23N60E-GE3 Datenblatt
Total Pages: 8
Größe: 189 KB
Vishay Siliconix
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
SIHG23N60E-GE3
|
Hersteller Vishay Siliconix Serie E FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 23A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 158mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 95nC @ 10V Vgs (Max) ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2418pF @ 100V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 227W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TA) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-247AC Paket / Fall TO-247-3 |
