SIHB11N80E-GE3 Datenblatt
SIHB11N80E-GE3 Datenblatt
Total Pages: 7
Größe: 131,3 KB
Vishay Siliconix
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
SIHB11N80E-GE3
|
Hersteller Vishay Siliconix Serie * FET-Typ - Technologie - Drain to Source Voltage (Vdss) - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (Max) - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - FET-Funktion - Verlustleistung (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Lieferantengerätepaket - Paket / Fall - |
