SIF912EDZ-T1-E3 Datenblatt
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Vishay Siliconix
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SIF912EDZ-T1-E3
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Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® FET-Typ 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 7.4A Rds On (Max) @ Id, Vgs 19mOhm @ 7.4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Leistung - max 1.6W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall PowerPAK® 2x5 Lieferantengerätepaket PowerPAK® (2x5) |
