SIC652CD-T1-GE3 Datenblatt
SIC652CD-T1-GE3 Datenblatt
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Vishay Siliconix
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
SIC652CD-T1-GE3
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Hersteller Vishay Siliconix Serie VRPower® Ausgabekonfiguration Half Bridge Anwendungen General Purpose Schnittstelle Logic, PWM Lasttyp Inductive, Capacitive, Resistive Technologie Power MOSFET Rds On (Typ) 3Ohm LS + HS Strom - Ausgang / Kanal 55A Strom - Spitzenleistung 100A Spannung - Versorgung 4.5V ~ 5.5V Spannung - Last 24V Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Funktionen Bootstrap Circuit, Diode Emulation Fehlerschutz Over Current, Over Temperature, Shoot-Through, UVLO Montagetyp Surface Mount Paket / Fall PowerPAK® MLP55-31L Lieferantengerätepaket PowerPAK® MLP55-31L |
