SIB419DK-T1-GE3 Datenblatt
SIB419DK-T1-GE3 Datenblatt
Total Pages: 7
Größe: 106,36 KB
Vishay Siliconix
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
SIB419DK-T1-GE3
|
Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 12V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 9A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 60mOhm @ 5.2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11.82nC @ 5V Vgs (Max) ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 562pF @ 6V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 2.45W (Ta), 13.1W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket PowerPAK® SC-75-6L Single Paket / Fall PowerPAK® SC-75-6L |
