SIA915DJ-T4-GE3 Datenblatt
SIA915DJ-T4-GE3 Datenblatt
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Vishay Siliconix
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SIA915DJ-T4-GE3
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Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® FET-Typ 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 3.7A (Ta), 4.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs 87mOhm @ 2.9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 275pF @ 15V Leistung - max 1.9W (Ta), 6.5W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall PowerPAK® SC-70-6 Dual Lieferantengerätepaket PowerPAK® SC-70-6 Dual |
