Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

SIA911EDJ-T1-GE3 Datenblatt

SIA911EDJ-T1-GE3 Datenblatt
Total Pages: 7
Größe: 117,32 KB
Vishay Siliconix
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern: SIA911EDJ-T1-GE3
SIA911EDJ-T1-GE3 Datenblatt Seite 1
SIA911EDJ-T1-GE3 Datenblatt Seite 2
SIA911EDJ-T1-GE3 Datenblatt Seite 3
SIA911EDJ-T1-GE3 Datenblatt Seite 4
SIA911EDJ-T1-GE3 Datenblatt Seite 5
SIA911EDJ-T1-GE3 Datenblatt Seite 6
SIA911EDJ-T1-GE3 Datenblatt Seite 7
SIA911EDJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

101mOhm @ 2.7A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

7.8W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

PowerPAK® SC-70-6 Dual

Lieferantengerätepaket

PowerPAK® SC-70-6 Dual