SIA777EDJ-T1-GE3 Datenblatt
SIA777EDJ-T1-GE3 Datenblatt
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Vishay Siliconix
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SIA777EDJ-T1-GE3
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Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® FET-Typ N and P-Channel FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 20V, 12V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 1.5A, 4.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs 225mOhm @ 1.6A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.2nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Leistung - max 5W, 7.8W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall PowerPAK® SC-70-6 Dual Lieferantengerätepaket PowerPAK® SC-70-6 Dual |
