SI8819EDB-T2-E1 Datenblatt
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Vishay Siliconix
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SI8819EDB-T2-E1
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Hersteller Vishay Siliconix Serie - FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 12V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 2.9A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 3.7V Rds On (Max) @ Id, Vgs 80mOhm @ 1.5A, 3.7V Vgs (th) (Max) @ Id 900mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 8V Vgs (Max) ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 650pF @ 6V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 900mW (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket 4-MICRO FOOT® (0.8x0.8) Paket / Fall 4-XFBGA |
