Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

SI8415DB-T1-E1 Datenblatt

SI8415DB-T1-E1 Datenblatt
Total Pages: 7
Größe: 131,93 KB
Vishay Siliconix
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern: SI8415DB-T1-E1
SI8415DB-T1-E1 Datenblatt Seite 1
SI8415DB-T1-E1 Datenblatt Seite 2
SI8415DB-T1-E1 Datenblatt Seite 3
SI8415DB-T1-E1 Datenblatt Seite 4
SI8415DB-T1-E1 Datenblatt Seite 5
SI8415DB-T1-E1 Datenblatt Seite 6
SI8415DB-T1-E1 Datenblatt Seite 7
SI8415DB-T1-E1

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

12V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5.3A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

37mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

30nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.47W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

4-Microfoot

Paket / Fall

4-XFBGA, CSPBGA