SI7635DP-T1-GE3 Datenblatt
SI7635DP-T1-GE3 Datenblatt
Total Pages: 13
Größe: 318,53 KB
Vishay Siliconix
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
SI7635DP-T1-GE3
|
Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 40A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.9mOhm @ 26A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 143nC @ 10V Vgs (Max) ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4595pF @ 10V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 5W (Ta), 54W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8 Paket / Fall PowerPAK® SO-8 |
