SI7540ADP-T1-GE3 Datenblatt
SI7540ADP-T1-GE3 Datenblatt
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Vishay Siliconix
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SI7540ADP-T1-GE3
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Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® FET-Typ N and P-Channel FET-Funktion - Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 12A, 9A Rds On (Max) @ Id, Vgs 28mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 1.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 48nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1310pF @ 10V Leistung - max 3.5W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C Montagetyp Surface Mount Paket / Fall PowerPAK® SO-8 Dual Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8 Dual |
