SI5519DU-T1-GE3 Datenblatt
SI5519DU-T1-GE3 Datenblatt
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Vishay Siliconix
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SI5519DU-T1-GE3
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Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® FET-Typ N and P-Channel FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 6A Rds On (Max) @ Id, Vgs 36mOhm @ 6.1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.8V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17.5nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 660pF @ 10V Leistung - max 10.4W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall PowerPAK® ChipFET™ Dual Lieferantengerätepaket PowerPAK® ChipFet Dual |
