SI4501BDY-T1-GE3 Datenblatt
SI4501BDY-T1-GE3 Datenblatt
Total Pages: 14
Größe: 206,32 KB
Vishay Siliconix
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
SI4501BDY-T1-GE3
|
Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® FET-Typ N and P-Channel, Common Drain FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V, 8V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 12A, 8A Rds On (Max) @ Id, Vgs 17mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 805pF @ 15V Leistung - max 4.5W, 3.1W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOIC |
