SI3443DDV-T1-GE3 Datenblatt
SI3443DDV-T1-GE3 Datenblatt
Total Pages: 11
Größe: 244,96 KB
Vishay Siliconix
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
SI3443DDV-T1-GE3
|
Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 4A (Ta), 5.3A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 47mOhm @ 4.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 8V Vgs (Max) ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 970pF @ 10V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 1.7W (Ta), 2.7W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket 6-TSOP Paket / Fall SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
