SI1555DL-T1-E3 Datenblatt
SI1555DL-T1-E3 Datenblatt
Total Pages: 8
Größe: 105,98 KB
Vishay Siliconix
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
SI1555DL-T1-E3
|
Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® FET-Typ N and P-Channel FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 20V, 8V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 660mA, 570mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 385mOhm @ 660mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.2nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Leistung - max 270mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket SC-70-6 (SOT-363) |
