SI1470DH-T1-GE3 Datenblatt
SI1470DH-T1-GE3 Datenblatt
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Vishay Siliconix
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SI1470DH-T1-GE3
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Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 5.1A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 66mOhm @ 3.8A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.6V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.5nC @ 5V Vgs (Max) ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 510pF @ 15V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 1.5W (Ta), 2.8W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket SC-70-6 (SOT-363) Paket / Fall 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
