SGH80N60UFTU Datenblatt
SGH80N60UFTU Datenblatt
Total Pages: 7
Größe: 603,13 KB
ON Semiconductor
Website: http://www.onsemi.com/
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
SGH80N60UFTU
![SGH80N60UFTU Datenblatt Seite 1](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/113/sgh80n60uftu-0001.webp)
![SGH80N60UFTU Datenblatt Seite 2](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/113/sgh80n60uftu-0002.webp)
![SGH80N60UFTU Datenblatt Seite 3](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/113/sgh80n60uftu-0003.webp)
![SGH80N60UFTU Datenblatt Seite 4](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/113/sgh80n60uftu-0004.webp)
![SGH80N60UFTU Datenblatt Seite 5](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/113/sgh80n60uftu-0005.webp)
![SGH80N60UFTU Datenblatt Seite 6](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/113/sgh80n60uftu-0006.webp)
![SGH80N60UFTU Datenblatt Seite 7](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/113/sgh80n60uftu-0007.webp)
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 80A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 220A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.6V @ 15V, 40A Leistung - max 195W Schaltenergie 570µJ (on), 590µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 175nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 23ns/90ns Testbedingung 300V, 40A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket TO-3P |