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SGH30N60RUFDTU Datenblatt

SGH30N60RUFDTU Datenblatt
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ON Semiconductor
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern: SGH30N60RUFDTU
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SGH30N60RUFDTU

ON Semiconductor

SGH30N60RUFDTU

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

48A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

90A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 30A

Leistung - max

235W

Schaltenergie

919µJ (on), 814µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

85nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

30ns/54ns

Testbedingung

300V, 30A, 7Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

95ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3P-3, SC-65-3

Lieferantengerätepaket

TO-3P