SCT2160KEC Datenblatt
SCT2160KEC Datenblatt
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Rohm Semiconductor
Website: https://www.rohm.com/
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
SCT2160KEC
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Hersteller Rohm Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel Technologie SiCFET (Silicon Carbide) Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 22A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 18V Rds On (Max) @ Id, Vgs 208mOhm @ 7A, 18V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 62nC @ 18V Vgs (Max) +22V, -6V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1200pF @ 800V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 165W (Tc) Betriebstemperatur 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-247 Paket / Fall TO-247-3 |
