S29WS512R0SBHW200 Datenblatt
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Hersteller Cypress Semiconductor Corp Serie WS-R Speichertyp Non-Volatile Speicherformat FLASH Technologie FLASH - NOR Speichergröße 512Mb (32M x 16) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 104MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 60ns Zugriffszeit 80ns Spannung - Versorgung 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur -25°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 84-VFBGA Lieferantengerätepaket 84-FBGA (11.6x8) |
Hersteller Cypress Semiconductor Corp Serie WS-R Speichertyp Non-Volatile Speicherformat FLASH Technologie FLASH - NOR Speichergröße 512Mb (32M x 16) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 104MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 60ns Zugriffszeit 80ns Spannung - Versorgung 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur -25°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 84-VFBGA Lieferantengerätepaket 84-FBGA (11.6x8) |
Hersteller Cypress Semiconductor Corp Serie WS-R Speichertyp Non-Volatile Speicherformat FLASH Technologie FLASH - NOR Speichergröße 256Mb (16M x 16) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 104MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 60ns Zugriffszeit 80ns Spannung - Versorgung 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur -25°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 84-VFBGA Lieferantengerätepaket 84-FBGA (11.6x8) |
Hersteller Cypress Semiconductor Corp Serie WS-R Speichertyp Non-Volatile Speicherformat FLASH Technologie FLASH - NOR Speichergröße 256Mb (16M x 16) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 104MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 60ns Zugriffszeit 80ns Spannung - Versorgung 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur -25°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 84-VFBGA Lieferantengerätepaket 84-FBGA (11.6x8) |
