Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

RTR025N03TL Datenblatt

RTR025N03TL Datenblatt
Total Pages: 14
Größe: 2.397,4 KB
Rohm Semiconductor
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern: RTR025N03TL
RTR025N03TL Datenblatt Seite 1
RTR025N03TL Datenblatt Seite 2
RTR025N03TL Datenblatt Seite 3
RTR025N03TL Datenblatt Seite 4
RTR025N03TL Datenblatt Seite 5
RTR025N03TL Datenblatt Seite 6
RTR025N03TL Datenblatt Seite 7
RTR025N03TL Datenblatt Seite 8
RTR025N03TL Datenblatt Seite 9
RTR025N03TL Datenblatt Seite 10
RTR025N03TL Datenblatt Seite 11
RTR025N03TL Datenblatt Seite 12
RTR025N03TL Datenblatt Seite 13
RTR025N03TL Datenblatt Seite 14
RTR025N03TL

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2.5A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

92mOhm @ 2.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4.6nC @ 4.5V

Vgs (Max)

12V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

220pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1W (Ta)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

TSMT3

Paket / Fall

SC-96