RQJ0305EQDQS#H1 Datenblatt
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Renesas Electronics America
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RQJ0305EQDQS#H1
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Hersteller Renesas Electronics America Serie - FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 3.4A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 140mOhm @ 1.7A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3nC @ 4.5V Vgs (Max) +8V, -12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 330pF @ 10V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 1.5W (Ta) Betriebstemperatur 150°C Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket UPAK Paket / Fall TO-243AA |
