RQ1E070RPTR Datenblatt
RQ1E070RPTR Datenblatt
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Rohm Semiconductor
Website: https://www.rohm.com/
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
RQ1E070RPTR
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Hersteller Rohm Semiconductor Serie - FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 7A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 17mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 26nC @ 5V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2700pF @ 10V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 550mW (Ta) Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket TSMT8 Paket / Fall 8-SMD, Flat Lead |
